性能 50 倍于 7nm 芯片：美国复活 90nm 工艺
芯研所 7 月 14 日消息，美国晶圆厂 SkyWater 日前宣布获得美国国防部下属的 DARPA 的进一步资助，后者将给予 2700 万美元以推动开发 90nm 战略抗辐射 ( RH90 ) FDSOI 技术平台，总的投资计划高达 1.7 亿美元。
相比台积电、三星、Intel 等半导体公司，SkyWater 不仅规模小，而且资历也浅，2017 年成立，晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门，工艺并不先进，主要生产 130nm 及 90nm，部分先进芯片才到 65nm 级别。
芯研所采编
然而他们却得到了美国 DARPA 的青睐，成立没多久就开始参与后者的 ERI 电子复兴计划，该计划在 5 年内投资 15 亿美元，推动美国半导体行业发展。ERI 计划中，SkyWater 并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺，而是用 90nm 工艺制造 3D SoC 芯片，通过集成电阻 RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能，性能可达 7nm 芯片的 50 倍。
这些技术现在还没有实现完全突破，毕竟这样的做法是之前没有的，一旦成功了，可能是改变半导体行业规则的新技术。
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